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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT
| Artikelnummer: | RN1902T5LFT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RN1902T5LFT.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse US6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Leistung - max 200mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer RN1902 RN1902T5LFT Einzelheiten PDF [English] RN1902T5LFT PDF - EN.pdf -
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